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8814vip8888研究院推出新能源领域用KS系列SiC MOSFET

2022-11-07

剑指第三代半导体领域,8814vip8888产品布局再完善!近日,8814vip8888研究院乘势推出以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产品,可应用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等场景,为新能源市场再添实力猛将!



SiC MOSFET里的“星”封装
  8814vip8888NSiC-KS  


随着工业4.0时代及新能源汽车的快速普及,工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能的要求也不断提高,新型高频器件SiC MOSFET因其耐压高、导通电阻低、开通损耗小等优异特点,正以迅猛发展之势抢占新能源市场。


8814vip8888凭借领先的封装技术优势,通过科学系统的设计,采用带辅助源极管脚的TO-247-4L作为NSiC-KS系列产品的封装形式,并将之应用于SiC MOSFET上,取得分立器件在开关损耗、驱动设计等方面的新突破。



8814vip8888NSiC-KS亮点在何处?
比一比,就知道



以8814vip8888第三代半导体 NSiC系列 1200V 80mΩ的SiC MOSFET产品为例,一起来对比常规TO-247-3L封装和以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS封装在“封装设计”“开通损耗”“开关损耗”及“开关频率及误启风险”四个方面的差异。


?快速阅读,先看结论:
采用NSiC-KS封装的SiC MOSFET,避免了驱动回路和功率回路共用源极线路,实现了这两个回路的解耦,使得NSiC-KS封装的SiC MOSFET开关损耗、开通损耗均明显降低,开关频率更快,寄生电感与误开启风险更低。


查看TO-247-3L封装 VS NSiC-KS封装对比


01.封装设计

NSiC-KS系列产品的封装形式相对于TO-247-3L,NSiC-KS系列产品多了一个S极管脚,其可称为辅助源极或者开尔文源极脚KS(Kelvin-Source)。





02.开通损耗


■TO-247-3L封装:

在SiC MOSFET开通过程中,漏极电流ID迅速上升,较高的电流变化率在功率源极杂散电感Lsource上产生较大的正压降LSource*(dID)/dt(上正下负),该压降使得SiC MOSFET芯片上的门极电压VGS_real在开通的瞬间不是驱动电压的数值,而是减掉Lsource上产生的电压,所以,开通瞬间的门极电压大幅下降,导致ID上升速度减慢,Eon因此而增大。



■NSiC-KS封装:

基于开尔文源极脚(KS)的存在,门极回路中没有大电流穿过,没有来自主功率回路的扰动,芯片的门极能正确地感受到驱动电压,从而降低了开通损耗。经过实测对比,NSiC-KS封装较之TO-247-3L封装,开通损耗可明显降低约55%。




03.开关损耗

由于NSiC-KS封装开尔文源极脚(KS)可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,可减少电感分量的影响,让SiC MOSFET的高速开关性能得以充分发挥。经过实测对比,NSiC-KS封装较之TO-247-3L封装,开关损耗降低约35%。



04.开关频率及误启风险

■开启时:

TO-247-3L封装在漏-源间通过大电流时,因源极引脚的电感效应,会降低栅极开启电压,降低了导通速度。


NSiC-KS封装中,由于增加了开尔文源极脚(KS),降低了源极引脚电感效应,通过SiC  MOSFET的VGS电压几乎等于栅极驱动电压VDRV。因此,如下图所示:与TO-247-3L封装相比,NSiC-KS封装有助于提高SiC  MOSFET开关速度。



■关断时:

NSiC-KS封装中栅极回路没有大电流流过,基本不会产生反向感应电动势VLS,因而受到极低的功率回路的串扰,减小了关断时VGS电压的振荡幅度,降低误开启的风险。


8814vip8888NSiC-KS SiC MOSFET产品
  多款选择,因需而至  


为满足市场需求,8814vip8888NSiC-KS SiC MOSFET产品有多款型号选择。同时,基于企业具备完整的SiC分立器件生产线,8814vip8888可根据客户需要,提供高性能、高可靠性、高品质的产品技术解决方案。


厚积薄发,走得更远。8814vip8888持续实施创新驱动发展战略,走深走实“三代半封测”领域,积极打破关键技术壁垒,为我国第三代半导体国产化提供更多高品质的“星”方案,注入磅礴“星”力量。

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